Le dopage consiste à mélanger de minuscules impuretés aux matériaux semi-conducteurs. Ces impuretés ajoutent des « atomes donneurs » au matériau de base, favorisant ainsi la conductivité. La quantité d'impuretés ajoutées aux matériaux semi-conducteurs est infime (un atome donneur pour dix millions d'atomes), mais suffisante pour assurer la conductivité électrique.
Dans la production de semi-conducteurs, le dopage consiste à introduire intentionnellement des impuretés dans un semi-conducteur intrinsèque afin d'en moduler les propriétés électriques, optiques et structurelles. Le matériau dopé est appelé semi-conducteur extrinsèque.
Matériaux semi-conducteurs couramment utilisés. Traditionnellement, les fabricants utilisaient l'un des trois matériaux semi-conducteurs les plus courants : le germanium, le silicium et l'arséniure de gallium. Approfondissons les connaissances sur les matériaux semi-conducteurs. Découvert en 1886, le germanium était le semi-conducteur « original ».
Dopage. Les dopants introduisent des impuretés contrôlées dans une plaquette afin d'en modifier les propriétés électriques. Ces gaz contribuent à l'apport d'un électron manquant ou « trou » (type p) ou d'un électron supplémentaire (type n) au substrat. Le dopage des matériaux semi-conducteurs est à la base de la fabrication des diodes et des transistors.
Dopage : Le dopage consiste à introduire des impuretés dans un cristal semi-conducteur pour en modifier la conductivité. Deux des principaux matériaux pouvant être dopés au silicium sont le bore (3 électrons de valence = 3-valent) et le phosphore (5 électrons de valence = 5-valent).